更新时间：2018-12-26 21:40:28
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前言
绪论
第1章 半导体中光子-电子的互作用
1.1 半导体中量子跃迁的特点
1.2 直接带隙与间接带隙跃迁
1.3 光子密度分布与能量分布
1.4 电子态密度与占据几率
1.5 跃迁速率与爱因斯坦关系
1.6 半导体中的载流子复合
1.7 增益系数与电流密度的关系
思考与习题
参考文献
第2章 异质结
2.1 异质结及其能带图
2.2 异质结在半导体光电子学器件中的作用
2.3 异质结中的晶格匹配
2.4 对注入激光器异质结材料的要求
2.5 异质结对载流子的限制
第3章 平板介质光波导理论
3.1 光波的电磁场理论
3.2 光在平板介质波导中的传输特性
3.3 矩形介质波导
第4章 异质结半导体激光器
4.1 概述
4.2 光子在谐振腔内的振荡
4.3 在同质结基础上发展的异质结激光器
4.4 条形半导体激光器
4.5 条形激光器中的增益光波导
4.6 垂直腔表面发射激光器（VCSEL）
4.7 分布反馈（DFB）半导体激光器
第5章 半导体激光器的性能
5.1 半导体激光器的阈值特性
5.2 半导体激光器的效率
5.3 半导体激光器的远场特性
5.4 半导体激光器的模式特性
5.5 半导体激光器的光谱线宽
5.6 半导体激光器的瞬态特性
5.7 半导体激光器的退化和失效
第6章 低维量子半导体材料
6.1 概述
6.2 量子阱的基本理论和特点
6.3 基于量子阱材料的半导体激光器
6.4 量子线与量子点
第7章 半导体光放大器（SOA）
7.1 概述
7.2 半导体光放大器的性能要求
7.3 半导体光放大器应用展望
第8章 可见光半导体光发射器件
8.1 概述
8.2 红光半导体发射器件
8.3 蓝光半导体光发射器件
第9章 半导体中的光吸收和光探测器
9.1 本征吸收
9.2 半导体中的其他光吸收
9.3 半导体光电探测器的材料和性能参数
9.4 无内部倍增的半导体光探测器
9.5 半导体雪崩光电二极管（APD）
9.6 基于量子阱材料的光探测器
第10章 半导体光电子器件集成
10.1 概述
10.2 制约光子集成和光电子集成发展的某些因素
10.3 某些推动光子集成发展的潜在科学技术
